| Type |
외관 |
STF 구조 |
주요 특징 |
| 메모리 |
NAND |
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- Size : 12”
- 세라믹 : 10~20층
- Via : 50만~100만
- 박막 : 1층 |
- DUT 밀집도 : 낮음
- DUT수 : 높음
- Touchdown : 1 |
| DRAM |
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- Size : 12”
- 세라믹 : 20~25층
- Via : 100만~200만
- 박막 : 2~4층 |
- DUT 밀집도 : 높음
- DUT수 : 높음
- Touchdown : 1~5 |
| 시스템IC |
SOC |
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- Size : 2”~4”
- 세라믹 : 50~80층
- Via : 50만~100만
- 박막 : 2~5층 |
- DUT 밀집도 : 매우 높음
- DUT수 : 낮음
- Touchdown : 200~500 |
| 시스템LSI |
CIS |
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- Size : 5”~7”
- 세라믹 : 43~96층 (내부전극 60층까지)
- Via : 16만~160만
- 박막 : 1~5층 |
- DUT 밀집도 : 매우 높음
- DUT수 : 낮음
- Touchdown : 10~30
- Low Power Noise |